書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：超大集成電路化學(xué)污染控制技術(shù)

編號(hào)：JFKJ-21-140

作者：炬豐科技

摘要?

? 硅片表面吸附的微量化學(xué)污染對(duì)超大集成電路器件性能的影響越來(lái)越大。?為了防止化學(xué)污染物的吸附，必須通過(guò)分析來(lái)確定它們的來(lái)源，然后將晶片與這些來(lái)源隔離。?本文著重于檢測(cè)、分析和消除化學(xué)污染，特別是吸附在硅表面的揮發(fā)性有機(jī)物。?它們?cè)诔蠹呻娐?/span>文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁晶圓加工中日益增加的有害影響，將為分析和預(yù)防表面痕量有機(jī)物帶來(lái)未來(lái)的挑戰(zhàn)和機(jī)遇。

介紹

? 隨著半導(dǎo)體器件的高度集成化和幾何尺寸的不斷縮小，不僅顆粒和金屬污染，而且吸附在硅片表面的分子污染已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)對(duì)性能、產(chǎn)量、?和半導(dǎo)體器件的可靠性， 因此,為了防止化學(xué)污染物的吸附在硅表面,重要的是要查明的起源污染物通過(guò)確定化合物吸收表面的硅片和孤立的晶圓化學(xué)污染來(lái)源在ULSI晶片加工線。 ??

? 化學(xué)污染可分為兩類:無(wú)機(jī)污染和有機(jī)污染。?摘要半導(dǎo)體生產(chǎn)線中快裂變材料的無(wú)機(jī)污染分析技術(shù)及其防治措施已基本建立，而對(duì)快裂變材料的有機(jī)污染分析技術(shù)的研究尚不完善。

? 在這篇論文中，化學(xué)污染-無(wú)機(jī)和有機(jī)-對(duì)器件加工的各個(gè)方面的影響將首先被簡(jiǎn)要地回顧。?本論文將著重于矽晶片表面有機(jī)污染的檢測(cè)、分析和識(shí)別，以及在超大集成電路晶片加工過(guò)程中消除和預(yù)防有機(jī)污染。?重點(diǎn)強(qiáng)調(diào)了大力清洗晶圓片的重要性，更理想的是全面防止污染系統(tǒng)的發(fā)展。

本文講述了有機(jī)污染，有機(jī)污染分析方法，??有機(jī)污染物的識(shí)別等問(wèn)題。

結(jié)論?????略