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ASE20N60-ASEMI高壓N溝道MOS管ASE20N60

型號：ASE20N60

品牌：ASEMI

封裝：ITO-247

最大漏源電流：20A

漏源擊穿電壓：600V

RDS（ON）Max：0.42Ω

引腳數(shù)量：3

溝道類型：N溝道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏電流：

恢復(fù)時間：5ns

芯片材質(zhì)：

封裝尺寸：如圖

特性：高壓MOS管、N溝道MOS管

工作結(jié)溫：-55℃~150℃

ASE20N60場效應(yīng)管

ASE20N60的電性參數(shù)：最大漏源電流20A；漏源擊穿電壓600V

特征：

低固有電容。

出色的開關(guān)特性。

擴展安全操作區(qū)域。

無與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=600V，Id=20A

RDS（開）:0.42? （最大值）@VG=10V