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IPA65R650CE-ASEMI代理英飛凌MOS管IPA65R650CE

型號：IPA65R650CE

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：TO-220F

最大漏源電流：10A

漏源擊穿電壓：650V

RDS（ON）Max：650mΩ

引腳數(shù)量：3

溝道類型：N溝道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏電流：

恢復(fù)時間：5ns

芯片材質(zhì)：

封裝尺寸：如圖

特性：高壓MOS管、N溝道MOS管

工作結(jié)溫：-40℃~150℃

IPA65R650CE場效應(yīng)管

IPA65R650CE的電性參數(shù)：最大漏源電流10A；漏源擊穿電壓650V

IPA65R650CE應(yīng)用：

適用于高頻開關(guān)和同步整流、適配器、照明、服務(wù)器.